Jak Začít?

Máš v počítači zápisky z přednášek
nebo jiné materiály ze školy?

Nahraj je na studentino.cz a získej
4 Kč za každý materiál
a 50 Kč za registraci!




Prezentace_8_2017

PDF
Stáhnout kompletní materiál zdarma (2.57 MB)

Níže je uveden pouze náhled materiálu. Kliknutím na tlačítko 'Stáhnout soubor' stáhnete kompletní formátovaný materiál ve formátu PDF.

ODVOD TEPLA ZE SOUČÁSTEK

Konstrukce elektronických zařízení

1 /  44

Kamil Vrba

Vysoké učení technické v Brně

Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

Odvod tepla ze součástek

ODVOD TEPLA ZE SOUČÁSTEK

Konstrukce elektronických zařízení

2 /  44

Kamil Vrba

Vysoké učení technické v Brně

Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

Odvod tepla ze součástky bez chladiče

Elektrický výkon P[W] generovaný v součástce vytváří tepelný proud it ~ P

Rozdíl teplot T1 – T2 [°C nebo K] představuje tepelné napětí ut ~ T1 – T2

Příklad: tepelný náhradní obvod pro SMD tranzistor

tepelný model

tepelné poměry

Tv – teplota čipu (v katalogu)
Tp – teplota pouzdra
To – teplota okolí

utv ~ Tv – Tp

značí tepelný spád mezi čipem a pouzdrem 

utp ~ Tp – To

značí tepelný spád mezi pouzdrem a okolím 

ut ~ Tv – To

celkový tepelný spád mezi čipem a okolím

ODVOD TEPLA ZE SOUČÁSTEK

Konstrukce elektronických zařízení

3 /  44

Kamil Vrba

Vysoké učení technické v Brně

Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

Odvod tepla ze součástky bez chladiče

Z hlediska výkonové zatížitelnosti je vždy směrodatný celkový tepelný      
odpor R

tvp = Rtv + Rtp, kde

v

p

tv

tv

t

~

°C /W

T

T

u

R

i

P

tp

p

o

tp

t

~

°C /W

u

T

T

R

i

P

t

v

o

t

tv

tp

t

~

u

T

T

R

R

R

i

P

vnitřní tepelný odpor  mezi čipem a pouzdrem

vnější tepelný odpor  mezi pouzdrem a okolím

celkový tepelný odpor 

v

o

v

o

m ax

t

t v

tp

T

T

T

T

P

R

R

R

přípustné zatížení tranzistoru

ODVOD TEPLA ZE SOUČÁSTEK

Konstrukce elektronických zařízení

4 /  44

Kamil Vrba

Vysoké učení technické v Brně

Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií

Odvod tepla ze součástky bez chladiče

Kontrolní ověření tepelného režimu součástky se provede určením teploty 
čipu Tv při výkonu P.

Přitom musí platit

Tv < Tmax
P

< Pmax

Příklad: malovýkonový tranzistor v plastovém pouzdře Pmax = 0,6 W, Tmax = 

150 °C, Rtv = 80 °C/W (čip-pouzdro), Rtp = 200 °C/W (pouzdro-okolí) pracuje 

za provozu s výkonem P = 0,3 W, teplota uvnitř přístroje To = 60 °C.

v

o

t

v

o

t

T

T

R

T

T

P R

P

mezní parametry uvedené v katalogu 

v

o

Témata, do kterých materiál patří