Předmět Principy a vlastnosti polovodičových součástek (NAFY079)
Na serveru studentino.cz naleznete nejrůznější studijní materiály: zápisky z přednášek nebo cvičení, vzorové testy, seminární práce, domácí úkoly a další z předmětu NAFY079 - Principy a vlastnosti polovodičových součástek, Matematicko-fyzikální fakulta, Univerzita Karlova v Praze (UK).
Top 10 materiálů tohoto předmětu
Materiály tohoto předmětu
| Materiál | Typ | Datum | Počet stažení |
|---|
Další informace
Cíl
Seznámit studenty s fyzikálními základy polovodičových struktur přechod P-N, kov-polovodič, kov-izolátor-polovodič, heterogenních přechodů a optoelektronických prvků založených na těchto strukturách.
Sylabus
1. Přechod P-NIdeální charakteristika přechodu P-N, rozložení pole a potenciálu, kapacita přechodu. Reálná charakteristika přechodu P-N v propustném a závěrném směru (typy průrazu).2. Kontakt kov-polovodičSchottkyho efekt, ideální Schottkyho kontakt, pole a potenciál v oblasti prostorového náboje. Základní přístupy k transportu náboje (volt-ampérová charakteristika a kapacita Schottkyho diod).3. Struktura MISKapacita ideální a reálné struktury MIS.4. Heterogenní přechody (HP)Izotypové a anizotypové HP, pásové energetické diagramy, vliv stavů na rozhraní. Transport náboje, využití HP.5. Fotovoltaické jevyFotoelektrické vlastnosti polovodičů, doba života nerovnovážných nosičů, pohyb nosičů náboje v prostoru a čase, vliv povrchu. Přechod P-N ozářený rovnoběžně a kolmo k rovině přechodu.Sluneční články: princip činnosti, účinnost a ztrátové mechanismy, konstrukce.6. Polovodičové zdroje optického zářeníProcesy generace záření. Elektroluminiscenční vrstvy, mechanismy luminiscence. Elektroluminiscenční diody: účinnost, setrvačnost, materiály.Polovodičové lasery: stimulovaná emise, optická zpětná vazba, spektrální charakteristika vyzařování, výkon záření, účinnost. Lasery na bázi HP, konstrukce, materiály. Životnost laserů.7. Polovodičové detektoryCharakteristické parametry, faktory ovlivňující detektivitu. Metody detekce záření. Fotoodpory: klasifikace, poměr signál-šum, materiály. Fotodiody a diody PIN: režimy činnosti, setrvačnost, poměr signál-šum. Schottkyho fotodioda.8. Polovodičové snímací elektronkyVidikon, plumbikon. Struktury CCD s přenosem náboje.
Literatura
E. Klier: Polovodičové prvky I., UK, Praha 1984E. Klier, J. Toušková: Polovodičové prvky II., SPN, Praha 1986J. Toušek: Polovodičové prvky III., UK, Praha 1993H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL, Praha 1990S.M. Sze: Physics of Semiconductor Devices, Wiley-Interscience, New York 1969
Garant
doc. RNDr. Pavel Moravec, CSc.doc. Ing. Eduard Belas, CSc.