Předmět Fyzikální základy optoelektroniky (NFPL021)
Na serveru studentino.cz naleznete nejrůznější studijní materiály: zápisky z přednášek nebo cvičení, vzorové testy, seminární práce, domácí úkoly a další z předmětu NFPL021 - Fyzikální základy optoelektroniky, Matematicko-fyzikální fakulta, Univerzita Karlova v Praze (UK).
Top 10 materiálů tohoto předmětu
Materiály tohoto předmětu
| Materiál | Typ | Datum | Počet stažení |
|---|
Další informace
Sylabus
1. Základní představy a pojmy. Klasický případ fotoelektrické vodivosti. Rekombinace volných nositelů na jednoduchých příměsových centrech. (malá koncentrace příměsových center, libovolná koncentrace příměsových center) Relaxace fotoelektrické vodivosti. Polovodič s více typy rekombinačních center (luxampérové charakteristiky, světelné ateplotní záření). 2. Základní vztahy a jevy ve fotoelektrické vodivosti. Základní vztahy (výrazy pro toky nositelů proudu, rovnice kontinuity, Poissonova rovnice). Stacionární fotoelektrická vodivost vzorků konečných rozměrů. Vliv povrchu na fotoelektrické jevy. Efektivní doba života (stacionární fotolektrická vodivost tenké destičky polovodiče a pojem efektivní doby života nadbytečných nositelů proudu,relaxace nadbytečné vodivosti v tenkém vzorku polovodiče při zanedbání zachycování nositelů v pastech. Spektrální jemná struktura fotoelektrické vodivosti. 3. Fotovoltaické jevy. Objemový fotovoltaický jev. Bariérový fotovoltaický jev (přechod P-N osvětlený rovnoběžně s rovinou přechodu, přechod P-N osvětlený kolmo k rovině přechodu, fotovoltaický jev na kontaktu kov-polovodič, fotovoltaické jevy v heterogenních přechodech, aplikace fotovoltaického jevu - sluneční články). 4. Příměsová fotoelektrická vodivost. . 5. Generace volných nositelů náboje. . 6. Elekrické kontakty. . 7. Proudy omezené prostorovým nábojem. Vliv mělkých pastí na POPN. Vliv hlubokých pastí na POPN. Nestacionární injekční proudy. Zesilovací činitel. 8. Termostimulované proudy. Monomolekulární kinetika. Bimolekulární kinetika. Rychlé znovuzachycování. Využití termostimulovaných proudů. 9. Fotoelektromagnetický jev. . 10. Polovodičové detektory jaderného záření. Interakce záření s hmotou. Transport nositelů proudu detektorem. Polovodičové detektory. 11. Šumy. . 12. Metody měření fotoelektrických jevů.
Literatura
Toušek J. : Polovodičové prvky III. UK. Praha. 1993 Sre S.M. : Physics of Semiconductor Devices. J. Wiley. 1981. 2. vydání Wilson J., Hawkes J.F.B. : Optoelectronics. An Introduction. Prentice Hall 1983
Garant
doc. RNDr. Jiří Toušek, CSc.