Předmět Optoelektronické materiály a technologie (NOOE003)
Na serveru studentino.cz naleznete nejrůznější studijní materiály: zápisky z přednášek nebo cvičení, vzorové testy, seminární práce, domácí úkoly a další z předmětu NOOE003 - Optoelektronické materiály a technologie, Matematicko-fyzikální fakulta, Univerzita Karlova v Praze (UK).
Top 10 materiálů tohoto předmětu
Materiály tohoto předmětu
| Materiál | Typ | Datum | Počet stažení |
|---|
Další informace
Cíl
Seznámit studenty s technologií polovodičů.
Sylabus
1. Úvod. Vymezení problematiky - mikroelektronika, optoelektronika, fotonika Stručná charakterizace jednotlivých kapitol. 2. Klasifikace materiálů. Vymezení role polovodičů - krystalová struktura, krystalová vazba, pásová struktura, vliv chemického složení (legování) a dimenze.Vymezení role izolátorů a kovů. 3. Polovodičové struktury pro optoelektroniku. Princip, funkce a optimalizace materiálových parametrů přechod p-n (LED, LASER, PV-dioda). FET tranzistor (JFET, MOSFET). 4. Požadavky na polovodičový materiá.l Substráty pro epitaxní technologie: kontrola kvality monokrystalů - hranice zrn, dislokace, precipitáty orientace monokrystalů, řezání, broušení, leštění a leptání krystalů, elektrické parametry substrátů (samokompenzace mezi donory a akceptory) Výchozí materiál pro opto- a mikro- elektronické prvky, zakázaný pás (band gap engineering), pohyblivost nosičů, doba života nosičů. 5. Fázové rovnováhy. Termodynamika fázových rovnováh Fázové diagramy: kondenzovaná fáze - kapalná fáze - kondenzovaná fáze - plynná fáze. Jednosložkové, dvousložkové a třísložkové systémy. Růst krystalů, žíhání krystalů. 6. Poruchy krystalů. Klasifikace defektů podle dimenze a jejich charakterizace (vrstvové chyby, dislokace, bodové poruchy) Termodynamika bodových defektů, stechiometrie krystalů Elektrická aktivita bodových defektů, komplexy defektů Rovnovážná koncentrace defektů a úprava stechiometrie krystalu. 7. Příprava monokrystalů a tenkých vrstev. Objemové monokrystaly (Biedgmanova metoda, Czochralskiho metoda, metoda visuté zony, krystalizace z roztoků, transportní metody z plynné fáze) Tenké vrstvy - epitaxní metody (LPE, VPE, MBE, MOCVD). 8. Příměsi v krystalech. Vliv příměsí na vlastnosti polovodičů. Čištění krystalů (směrové chlazení, zonální chlazení a další segregační metody). Ultračisté polovodiče. Legování polovodičů (segregace, difúze, iontová implantace). Koncentrační profily - jejich vytváření a stanovení. Kontrolní metody (MS, SIMS, RFA a další). Selektivní legování v 2D strukturách. 9. Pasivace a metalizace povrchů. Tepelná oxidace, depozice dielektrika, depozice polykrystalů, metalizace. 10. Technologie prvků. Přechod p-n, JFET, MOSFET, PV dioda, LED, LASER. 11. Technologie integrovaných obvodů Litografické techniky (UV, Rtg, elektronová, iontová) Chemické a suché leptání. Nosiče a pouzdra prvků a obvodů.
Literatura
A.I.Anselm, Úvod do teorie polovodičů, Academia, Praha 1967
Požadavky
viz Anotace
Garant
prof. RNDr. Pavel Höschl, DrSc.doc. Ing. Eduard Belas, CSc.