Předmět Fyzika polovodičů pro optoelektroniku III (NOOE005)
Na serveru studentino.cz naleznete nejrůznější studijní materiály: zápisky z přednášek nebo cvičení, vzorové testy, seminární práce, domácí úkoly a další z předmětu NOOE005 - Fyzika polovodičů pro optoelektroniku III, Matematicko-fyzikální fakulta, Univerzita Karlova v Praze (UK).
Top 10 materiálů tohoto předmětu
Materiály tohoto předmětu
| Materiál | Typ | Datum | Počet stažení |
|---|
Další informace
Cíl
Seznámit studenty s fyzikálními základy polovodičových struktur přechod P-N, kov-polovodič, kov-izolátor-polovodič, heterogenních přechodů a optoelektronických prvků založených na těchto strukturách.
Sylabus
1. Přechod P-N. Ideální charakteristika přechodu P-N. Reálná charakteristika přechodu P- N v propustném a závěrném směru (typy průrazu). 2. Schottkyho kontakt. Schottkyho efekt, základní přístupy k transportu nábojů (volt-ampérová charakteristika a kapacita Schottkyho diod). 3. Struktura MIS. Kapacita ideální a reálné struktury MIS. 4. Heterogenní přechody (HP). Izotypové a anizotypové HP, pásové diagramy, transport náboje. Dvojrozměrný elektronový plyn, superstruktury. 5. Fotovoltaické jevy. Přechod P-N ozářený rovnoběžně a kolmo k rovině přechodu. Ozářený Schottkyho kontakt. Solární cely. 6. Polovodičové zdroje optického záření. Elektroluminiscenční vrstvy, luminiscenční diody: materiály, účinnost, setrvačnost. Polovodičové lasery: spektrální charakteristika, optická zpětná vazba, výpočet základních parametrů, konstrukce. Heterogenní lasery, lasery pro optické komunikace, degradace. 7. Polovodičové detektory. Charakteristické parametry, faktory ovlivňující detektivitu. Metody detekce záření. Fotoodpory (poměr signál-šum, druhy fotoodporů). Fotodiody a diody PIN, lavinové fotodiody (režim činnosti, setrvačnost, poměr signál-šum). Schottkyho dioda. Fototranzistor. Využití struktur s proměnnou šířkou zakázaného pásu a se supermřížkami pro detekci záření. 8. Polovodičové snímací elektronky Vidikon, plumbikon. Detektor SPRITE. Struktury CCD s přenosem náboje.
Literatura
S.M. Sze: Physics of Semiconductor Devices, 2nd edition, J. Wiley, New York 1981S.M. Sze: Semiconductor Devices ? Physics and Technology, J. Wiley, New York 1985J. Wilson, J.F.B. Hawkes: Lasers ? Principles and Applications, Prentice-Hall, New York 1987J.P. Colinge, C.A. Colinge: Physics of Semiconductor Devices, Kluwer, Boston 2002H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL, Praha 1990J. Toušek: Polovodičové prvky III., UK, Praha 1993
Garant
doc. RNDr. Pavel Moravec, CSc.doc. Ing. Eduard Belas, CSc.