Předmět Mikroelektronické obvody (FEKT-LMEO)
Na serveru studentino.cz naleznete nejrůznější studijní materiály: zápisky z přednášek nebo cvičení, vzorové testy, seminární práce, domácí úkoly a další z předmětu FEKT-LMEO - Mikroelektronické obvody, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Vysoké učení technické v Brně (VUT).
Top 10 materiálů tohoto předmětu
Materiály tohoto předmětu
| Materiál | Typ | Datum | Počet stažení |
|---|
Další informace
Cíl
Cílem je seznámení studentů s problematikou návrhu digitálních integrovaných obvodů.
Osnova
Dělení IO, proces návrhu ASIC obvodů, používané technické prostředky (software)Používané technologie (bipolární, CMOS, HBiCMOS) a jejich vlastnosti. Technologické modely. Návrhová pravidla.Základní struktury pasivních součástek (rezistory, kondenzátory), vlastnosti (přesnost, teplotní chování, elektrické parametry, vlivy technologie). Metodika návrhu topologie pasivních struktur s optimálními vlastnostmi.Struktura MOS tranzistoru a její vlastnosti (viz. Pasivní struktury). Metodika návrhu optimální topologie struktury MOSTProudová zrcadla, popis struktury a vlastností. Postup návrhu s ohledem na požadované vlastnosti (výstupní odpor, dynamický rozsah, kmitočtové vlastnosti). Používané topologie, zásady návrhu.Reference pro integrované obvody, napěťové i proudové. Používané typy, jejich návrh s ohledem na požadované vlastnosti. Zásady návrhu topologie referenčních obvodů.Základní obvodové uspořádání bloků jednostupňových zesilovačů. Metodika návrhu, kompenzace, navazování na další obvody. Aktivní zátěž. Zásady návrhu topologií.Diferenční stupeň, základní uspořádání a jeho vlastnosti. Návrh a optimalizace, topologie.Základní struktura OZ, blokové uspořádání (typy), vlastnosti integrované struktury.Postup návrhu OZ, kompenzace na čipu, zásady topologického uspořádání.Moderní trendy. Proudový a smíšený režim. Princip, vlastnosti a srovnání s klasickými postupy. Seznámení s technikou spínaných kapacit a proudů.Vybrané bloky moderních VLSI integrovaných obvodů. Přehled. Proudové a napěťové konvejory, operační zesilovače s proudovou zpětnou vazbou, transformační bloky.Trendy v oblasti integrovaných obvodů. Opakování
Literatura
Baker, J.R.:"CMOS circuit design, layout and simulation", IEEE Press a Wiley Interscience, ISBN 0-471-70055-X, 2005Wolf, W.: Modern VLSI design, Prentice Hall, 1994Rabaey, J.M.:Digital integrated circuits., Prentice Hall, 1996
Požadavky
Jsou požadovány znalosti na úrovni bakalářského studia.
Garant
Ing. Daniel Bečvář, Ph.D.
Vyučující
Ing. Daniel Bečvář, Ph.D.