Předmět Mikroelektronické prvky a struktury (FEKT-MMPR)
Na serveru studentino.cz naleznete nejrůznější studijní materiály: zápisky z přednášek nebo cvičení, vzorové testy, seminární práce, domácí úkoly a další z předmětu FEKT-MMPR - Mikroelektronické prvky a struktury, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Vysoké učení technické v Brně (VUT).
Top 10 materiálů tohoto předmětu
Materiály tohoto předmětu
| Materiál | Typ | Datum | Počet stažení |
|---|
Další informace
Cíl
Podrobné studium struktur a vlastností mikroelektronických prvků, jejich fyzikálních a obvodových modelů.Podrobné studium modelů součástek, jejich parametrů a použitelnosti.
Osnova
1. Přehled fyziky polovodičů.2. Přechod PN a polovodičové diody. 3. Kontakt kov-polovodič, Schottkyho diody, ohmické kontakty. 4. Heteropřechody a supermřížky. 5. Bipolární tranzistor s homogenními přechody.6. Bipolární tranzistor s heteropřechody.7. Struktura MIS.8. Tranzistor MOSFET, struktury CMOS.9. Moderní typy tranzistorů FET. 10. Tranzistory HEMT.11. Elektroluminiscenční a laserové diody.12. Nové fyzikální jevy a související struktury.13. Časová rezerva.
Literatura
HORÁK M.: Mikroelektronické prvky a struktury, SKRIPTUM VUT 2010 (CS)MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Elektronický text projektu KISP. Brno 2014 (CS)MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Prezentace projektu KISP. Brno 2014 (CS)MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Cvičení. Elektronický text projektu KISP. Brno 2014 (CS)
Požadavky
Z oblasti aplikované matematiky by měl být student schopen:- aplikovat znalosti učiva střední průmyslové školy (řešení rovnic o jedné a dvou neznámých, řešení kvadratické rovnice);- aplikovat a vysvětlit základní principy integrálního a diferenciálního počtu funkce jedné proměnné (grafické a numerické vyjádření derivace funkce).Z odborné oblasti by měl být student schopen:Student, který si zapíše předmět, by měl být schopen:- vysvětlit základní fyzikální a elektronické principy mající vztah k aktivním mikroelektronickým součástkám a obvodům (Ohmův zákon, VA charakteristiky diod a základních typů tranzistorů, zapojení zesilovače signálu a spínání zátěže promocí tranzistoru);- analyzovat jednoduché elektronické obvody s pasivními součástkami a tranzistory.
Garant
prof. Ing. Vladislav Musil, CSc.
Vyučující
prof. Ing. Vladislav Musil, CSc.