Předmět Microelectronic Devices and Structures (FEKT-NMPR)
Na serveru studentino.cz naleznete nejrůznější studijní materiály: zápisky z přednášek nebo cvičení, vzorové testy, seminární práce, domácí úkoly a další z předmětu FEKT-NMPR - Microelectronic Devices and Structures, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Vysoké učení technické v Brně (VUT).
Top 10 materiálů tohoto předmětu
Materiály tohoto předmětu
Materiál | Typ | Datum | Počet stažení |
---|
Další informace
Cíl
Podrobné studium struktur a vlastností mikroelektronických prvků, jejich fyzikálních a obvodových modelů.Podrobné studium modelů součástek, jejich parametrů a použitelnosti.
Osnova
Není specifikováno.
Literatura
Sze S.M.: Physics of Semiconductor Devices. Wiley, 1981. (EN)Sze S.M.: High-Speed Semiconductor Devices. Wiley, 1988. (EN)Sze S.M.: Modern Semiconductor Device Physics. Wiley, 1998. (EN)Sze S.M., Chang C.Y.: ULSI Devices. Wiley, 2000. (EN)Hess K.: Advanced Theory of Semiconductor Devices. Willey, 2000. (EN)Taur Y., Ning T.H.: Fundamentals of Modern VLSI Devices. Cambridge University Press, 1998. (EN)Dragoman D., Dragoman M.: Advanced Optoelectronic Devices. Springer Verlag, 1999. (EN)Zimmermann H.: Integrated Silicon Optoelectronics. Springer Verlag, 2000. (EN)MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Elektronický text projektu KISP. Brno 2014 (CS)MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Prezentace projektu KISP. Brno 2014 (CS)MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Cvičení. Elektronický text projektu KISP. Brno 2014
Požadavky
Jsou požadovány znalosti na úrovni bakalářského studia.
Garant
prof. Ing. Vladislav Musil, CSc.
Vyučující
prof. Ing. Vladislav Musil, CSc.