6. Polovodičové paměti

6. Polovodičové paměti

Omáčka:

• Jsou zařízení pro ukládání elektronických dat, často používené pro paměti počítače

• Data jsou přístupná pomocí binární paměťové adresy, která vstupuje do paměti

Informace o pamětech:

Organizace:

• 1k x 8

  • Velikost této paměti je: 8192 bitů

  • 1k – Počet slov

  • 8 – Šířka slova

Kapacita:

• Udává se v bitech:

  • 1 kbit -> 210 = 1024 bitů

  • 1 Mbit -> 220 = 1 048 576 bitů

  • 1 Gbit -> 230 = 1 073 741 824 bitů

Dělení:

Podle přístupu:

1. Sériové – Se sériovým přístupem

2. Random – S libovolným přístupem

1. Sériové:

• Realizována několika posuvnými registry

• Pokud je šířka slova 8 bitů, použijeme 8 posuvných registrů

• Ke slovu nemáme přístup v libovolný moment

• Slovo se musí posunout až na začátek registru -> Sériový přístup

2. Random:

• Za účelem čtení nebo zápisu můžeme kdykoliv přistoupit k libovolné buňce registru

Podle závislosti na napájení:

• Energeticky nezávislé paměti – Obsah paměti zůstane uložen v paměti i po odpojení napájení / zdroje energie

• Energeticky závislé paměti – Obsah paměti nezůstane uložen v paměti i po odpojení napájení / zdroje energie

Podle možnosti čtení a zápisu:

• Pouze ke čtení (ROM – Read Only Memory)

• Ke čtení i zápisu (RWM – Read Write Memory)

Druhy pamětí:

Paměti ROM:

• ROM:

  • Naprogramované od výrobce

  • Dnes se nevyužívají

• PROM:

  • Programovatelné – Jen jednou

  • Ale pouze programátorem – Krabička, do které se PROM zasune, pak je možné ji programovat

• EPROM:

  • Obsah vložený programátorem může být smazán a přeprogramován

  • Úplné smazání – UV světlem

  • Programovatelné v programátoru

• EEPROM:

  • Elektronicky mazatelné – Maže se buňka po buňce -> Nejde přepsat jen jedno slovo

  • Programovatelné v programátoru

  • Mazání bloků je pomalé -> ̃ ms

• Flash EEPROM:

  • Lze smazat celou nebo po blocích – Ne po jednotlivých buňkách

ROM:

• Řídící vstupy řídí přístup na datovou sběrnici

• OE - Output Enable –> Slovo je na datové sběrnici

• CS – Chip Select -> Paměť je aktivní (vybraná)

• Třístavová paměť:

  • OE = 0 – Datové výstupy jsou odpojeny od sběrnice

  • CS = 1 – „Standy by“ režim – Sběrnice spí

  • CS = 0 – Sběrnice pracuje

Paměti RWM:

• Nesprávným názvem RAM

• Umožňují přepis bloků

• Rozdělení:

  1. Statické:

     • KO – Klopný obvod

     • Magnetické

  2. Dynamické:

     • Kondenzátor

1. Statické s KO:

• Složitější buňka

• Nižší kapacita -> 10k slov

• Nepotřebují osvěžování (Dobíjení kondenzátorů)

• Jsou rychlejší

• Využití tam, kde stačí malá kapacita

2. Dynamické:

• Dynamika = Náboj na kondenzátorech – Je třeba osvěžování

• Spočívá v úbytku nábojů v kondenzátorech

• Obnovení / Osvěžování:

  • Jednorázově – Každé 2 ms

  • Rozloženě – Menší výpadky

  • Skrytě – v čipech

KO dvojčinné s asynchronními vstupy:

J 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 K 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 T 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 S 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 R 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 Q 0 0 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 0