Paměti RAM, RWM

Statické

Statické unipolární paměti. Základem statických unipolárních pamětí (SRAM - Static RAM RWM) je paměťová buňka složená z klopného obvodu a většinou ze čtyř paměťových spínačů. Doba zápisu je proti době čtení delší o nabíjení parazitních kapacit klopného obvodu. Rychlost čtení je dána použitím tranzistorů v dekodéru, a to buď pomalých (unipolárních) nebo rychlých (bipolárních). Rozdíl v rychlosti čtení je přibližně desetinásobný.Dynamické

Základem dynamické buňky z unipolárních tranzistorů (DRAM - Dynamik RAM) je dynamická buňka, nikoliv klopný obvod, protože ten představuje zbytečnou redundanci. K záznamu informace se využívá kapacita řídící elektrody tranzistoru, obdobně jako u posuvných registrů tzpu MOS.

Princip činnosti je následující. Adresovým impulsem přivedeným na elektrodu zapisovacího tranzistoru se tento tranzistor otevře a podle zapisované informace se kapacita přechodu paměťového tr. buď nabije nebo vybije. Tím se paměťoví tr. dostane do požadovaného stavu. Při čtení informace se zjišťuje stav paměťového tr. jednotkovým impulsem na adresovém čtecím vodiči.

Protože však nelze odstranit zbytkové a svodové proudy, je nutné k zachování informace v pravidelných intervalech obnovovat náboj na elektrodě paměťového tr. Doba trvání těchto obnovovacích impulsů je řádově 1μs a intervaly mezi nimi řádově milisekundy. Po dobu trvání obnovovacího náboje je nutné blokovat činnost čtecích a zapisovacích obvodů. K obnovování informací však dochází i automaticky při výběru řádku ve kterém buňka leží. Při cyklu refresh se pak tyto řádky vynechávají, čímž se zkracuje obnovovací cyklus.

Dynamické RAM a jejich režimy

Dříve FPM-RAM (Fast Page Memory)

• umožňují adresování stránek, bity parity u 386 a 486

• její vybavovací doba 60 – 100 ns

EDO-RAM (Extendent Data Output)

• dovolují delší přidržení dat na výstupu

• umožňuje čtení předchozího impulsu (překrývání)

• vybavovací doba 50 ns

BEDO-RAM (Burst Extendent Data Output)

• místo jedné paměťové adresy se načítají 4

• nepodporují ji všechny desky

SDRAM

• pracují při stejné taktu jako je na sběrnici

• vybavovací doba 8 – 12 ns

napájení 3,3 V u DHM modulů (168 vývodů)

Feritové paměti.

Feritové paměti jsou založeny na principu zmagnetování feromagnetické látky (feritu). Jsou typu RWM RAM. Jejich velkou výhodou je, že jsou nevolativní. Nevýhodou je jejich velikost. Dlouhou dobu to byly jediné dostupné paměti. V současnosti se používají jen pro speciální účely.

Bubnové paměti.

Magnetický materiál byl nanesen na nemagnetický buben, který se otáčel vysokou rychlostí. Na obvodu bubnu bylo umístěno kombinovaných hlav (zápis/čtení), které prováděly podle potřeby zápis nebo čtení. Dnes je již nepoužívají.

Bublinové paměti.

Jedná se o bublinové magnetické paměti, které jsou založeny na využití velkokapacitních magnetických posuvných registrů. Jsou nevolativní. Jejich princip je založen například na tenkých vrstvách magnetických granátů, např. M3Fe5O12 (M - vzácná zemina), s osou snadné magnetizace příčně k rovině magnetické vrstvy. V tomto případě mohou vyniknout stabilní válcové domény s osou kolmou k rovině vrstvy. Rozměr bublin je určen vlastnostmi materiálu a intenzitou magnetického pole. Bublinami se pak pohybuje magnetickým polem působícím v rovině vrstvy. Bubliny se generují podle příchodu logického signálu (0,1) v magnetickém generátoru bublin. Snímají se magnetorezistivním detektorem bublin. Destička o rozměrech přibližně 400 mm2 má kapacitu paměti 10 Mb a rychlost přenosu 5 Mb/s. Jejich zpracování je však složité.