5. Paměti

 Volatilní 

 Rychlý náhodný přístup 

 Paměť RAM v jednočipových mikrokontrolerech 

 Kapacita až 32 MB 

Paměti RAM 

 DRAM – Dynamic Random Access Memory 

– paměťová buňka - 1 tranzistor na bit  
– paměťový kondenzátor 

 Volatilní 

 Náhodný přístup, ale 

– kondenzátor ztrácí náboj 

• refresh 

– blokový přístup u moderních 
    

DRAM pamětí 

 Současné DRAM (DDR) 

– synchronní (časování řízeno hodinovým signálem) 
– využívají se obě hrany (double data rate) 

Paměti RAM 

 Vnitřní organizace paměti DRAM 

Paměti RAM 

 Přístup do paměti DRAM 

 Adresa ve dvou fázích 

– RAS – Row Address 
– CAS – Column Address 

 Velká latence mezi počátkem přístupu a prvními daty 

 Náhodný přístup k paměti není nejrychlejší 

 Paměťové moduly DIMM poskytují paralelně 64 bitů dat 

 Kapacita dnešních čipů je až v jednotkách GB 

 Latence v řádu 10 ns 

Paměti RAM 

 Paměťové moduly DRAM 

Paměti xxROM 

 Paměti ROM 

– programovatelné maskou 
– programují se při výrobě 
– jejich obsah nelze změnit – nelze zapsat 
– nevolatilní 
– rychlé čtení 

 Paměti PROM 

– jednorázově elektricky programovatelné 

• někdy lze programovat po částech 

– speciální programátor 
– vyžadují vyšší programovací napětí 
– nevolatilní 

Paměti xxROM 

 Paměti EPROM 

– elektricky programovatelné 

• někdy lze programovat po částech 

– speciální programátor 
– vyžadují vyšší programovací napětí 
– nevolatilní 
– mazatelné ultrafialovým zářením 
– smazaná paměť obsahuje samé 0xFF 
– omezený počet cyklů a doby pamatování 
– paměť programu ve starých mikrořadičích 

 Všechny dosud zmíněné typy pamětí ROM jsou dnes 

zastaralé 

Paměti xxROM 

 Paměti EEPROM (E