5. Paměti
Níže je uveden pouze náhled materiálu. Kliknutím na tlačítko 'Stáhnout soubor' stáhnete kompletní formátovaný materiál ve formátu PDF.
2PROM)
– elektricky programovatelné i mazatelné
• po bajtech
– mazání je automatické před zápisem
• zápis trvá dlouho
– omezený počet cyklů (řádově statisíce)
– nevyžadují vyšší programovací napětí (vyrábějí si ho vnitřně)
– nevolatilní
– kapacity řádově až ve stovkách kB
– typicky pro ukládání parametrů ve vestavných systémech
• nastavení, výrobní číslo …
– typicky sériové rozhraní - pokud není součástí jednočipového
procesoru
Paměti xxROM
Paměti Flash EEPROM
– elektricky programovatelné
• po bajtech
– elektricky mazatelné
• jen jako celek nebo po blocích • mazání je explicitní
Varianty NOR a NAND
Paměti Flash EEPROM
Varianty NOR a NAND
– NOR je spolehlivější a rychlejší, ale nižší hustota dat
NOR se používá jako
– paměť s rychlým náhodným přístupem
• programová paměť mikroprocesoru
• program může běžet přímo z Flash paměti bez kopírování do RAM
NAND se používá jako
– paměť s rychlým blokovým přístupem
• rychlost dosažena paralelním čtením mnoha buněk a uložením ve
vyrovnávací paměti RAM
– SSD disky
– pamětové karty
NAND čipy – postupná degradace, chyby v blocích – režie správy
– ECC, block management
Růst výkonu procesorů X pamětí
Paměťová hierarchie
– blíže procesorovému jádru
• rychlejší
• nižší kapacita
• vyšší cena na jednotku kapacity
Architektura paměťového systému
počítače
Skrytá paměť - Cache
Obsahuje kopie části informace uložené v hlavní paměti
– data, instrukce, případně i další
– adresace
Pokud je použita hierarchická struktura, rozlišujeme
– plně inkluzivní cache paměť
• informace v cache L