Jak Začít?

Máš v počítači zápisky z přednášek
nebo jiné materiály ze školy?

Nahraj je na studentino.cz a získej
4 Kč za každý materiál
a 50 Kč za registraci!




CHLAZENI

PDF
Stáhnout kompletní materiál zdarma (476.59 kB)

Níže je uveden pouze náhled materiálu. Kliknutím na tlačítko 'Stáhnout soubor' stáhnete kompletní formátovaný materiál ve formátu PDF.

Chceme se dodržet maximální teplotu chladiče 60

°C. Pro může být ztrátový výkon:

      Pz = (

ϑj - ϑa) / Rϑsa = (60 - 35) / 0,4 = 62,5 W

R: Teplota 

chladiče nepřestoupí 60

°C při teplotě okolí 35°C a ztrátovém výkonu 62,5 W.

Q2: 

Jaký má být vnitřní tepelný odpor a tepelný odpor přechodu, když je dovolená teplota přechodu
150

°C a ztrátový výkon vzniká ve dvou koncových tranzistorech?

Ztrátový výkon je na obou tranzistorech stejný, tj. 31,25 W. Maximální přípustný rozdíl mezi chladičem
a přechodem je tedy 90

°C. Tepelný odpor může být nejvýše:

Rϑjs = (ϑj - ϑs) / Pz = (150 -60) / 31,25 = 2,88 K/W ≈ 2,9 K/W

Podle katalogových údajů má slídová izolační podložka tloušťky 0,05 mm pro pouzdro T03 tepelný
odpor 0,4 K/W (až 0,6 K/W). Na vnitřní odpor tranzistoru zbude 2,3 - 2,5 K/W. Celkový katalogový
ztrátový výkon při teplotě pouzdra 25

°C musí být pak větší než:

Ptot = (

ϑj - ϑa) / Rϑsa = (150 - 25) / (2,5...2,3) = 50...55 W

R: Pro 

daný 

účel vyhoví dva tranzistory v kovovém pouzdru TO-3 s povoleným katalogovým výkonem

nad 55 W. Vyhoví např. BD141 (Ptot = 117 W při 25

°C, Rϑjc = 1,5 K/W). Je nutná dokonalá montáž

izolační podložky s tepelně vodivou pastou.

Upozornění: Některé tranzistory, např. KD605 (Ptot = 70 W), byly vyráběny v ocelovém pouzdře s měděnou
vložkou 

∅ 10 mm. V tom případě prochází teplo do chladiče přes menší plochu a podložka se uplatní s patřičně

vyšším tepelným odporem.

Q3: 

Lze najít řešení s dostupnějšími tranzistory? V kovových pouzdrech TO3 se většinou vyrábějí
tranzistory pro Ptot = 100 .. 200, které jsou obvykle drahé.

R1: 

Obvyklé provedení výkonových tranzistorů má pouzdro TO-220. Plocha styku tohoto pouzdra je
přibližně 1,5 cm2, u pouzdra TO-3 je větší než 5 cm2. Měli bychom tedy počítat s odporem slídové
podložky asi čtyřnásobným, tj. 1,6...2 K/W. Potřebovali bychom tedy tranzistor s vnitřním tepelným
odporem 1,3...0,9 K/W (Ptot = 100...150 W). Je také vhodné zvážit použití kvalitnější podložky ze

Témata, do kterých materiál patří