Paměti RAM, RWM

Vnitřní paměti a jejich rozdělení

Vnitřní paměti lze dělit z mnoha různých hledisek, z nichž nejužívanější jsou kritéria:

• přístup k buňkám paměti

• možnost změny dat (zápisu)

• princip realizace paměťové buňky

• technologie

• organizace paměti

Přístup k buňkám paměti.

Z hlediska přístupu k buňkám paměti při čtení nebo zápisu se dělí na:

- Paměti s libovolným přístupem (RAM - Random Access Memory).

- Paměti se sériovým přístupem (Seriál Access Memory).

- Paměti se speciálním přístupem k paměťové buňce, které se realizují z pamět

RAM doplněných speciální logikou. Jsou to zejména: - paměti adresované obsahem - CAM (Content Addressable Memory), - paměti typu zásobník nebo sklípková paměť nebo LIFO (Last In First Out).

Princip realizace paměťové buňky.

Možnosti rozdělení jsou rozsáhlé, proto se omezíme na:

- Paměti statické, ve kterých je paměťová buňka tvořena bistabilním klopným obvodem - -- Paměti dynamické, u kterých je hlavním nositelem paměťové vlastnosti parazitní

kapacita. Touto kapacitou je obvykle kapacita řídící elektrody tranzistoru MOSFET, ale vzhledem ke svodům je třeba periodicky obnovovat elektrický náboj speciálními obvody - tzv. refresh.

Technologie.

Paměti se dělí podle technologie na paměti feritové a polovodičové. Technologie používané pro polovodičové paměti se dělí na:

• bipolární

• unipolární

Bipolární technologie.

Dělí se dále na technologii:

• TTL,

• ECL.

Technologie TTL.

Jsou to technologie TTL, STTL, LSTTL, ALSTTL. Technologie TTL je nejstarší a požívala se díky jedinému napájení, vysokému logickému zisku a rychlosti. Touto technologií byly realizovány paměti s integrací MSI (16 a 64 bitů). Další uvedené varianty jsou též technologie TTL a s nimi se podařilo dosáhnout příznivějšího poměru mezi rychlostí a potřebným příkonem pamětí. Stalo se tak použitím tranzistorů a antisaturačními Schottkyho diodami a lepších technologických postupů.

Technologie ECL.

Rychlé paměti malé integrace lze realizovat technologií ECL (Emitor Coupled Logic). U těchto obvodů je zpoždění signálu jen 1 až 3 ns, protože emitorově vázáné tranzistory pracují výhradně v aktivní oblasti. Přístupová doba je 5 až 10 ns. Jsou ale potřebná dvě napájecí napětí. Navíc tyto obvody nejsou slučitelné s obvody TTL.

Unipolární technologie.

Základem všech unipolárních paměťových obvodů je tranzistor řízený polem typu MOS a jednotlivé unipolární technologie se odlišují typem kanálu tranzistoru, obvodovým řešením, výrobními postupy atd.

Paměti RWM

RWM (Read/Write Memory), které lze používat pro čtení i záznam dat za běžného provozu v počítači. Jak záznam tak i čtení trvají většinou řádově stejně dlouho při stejných podmínkách paměti. Jejich nevýhodou je, že při vypnutí napájení jejich obsah mizí, jsou "volatilní" (volatile).