BPC-MIC10 - Rozdělení pamětí, paměti RAM

– Po vypnutí napájení se informace ztrácí.

• Paměti energeticky nezávislé (non-volatile)

– Po vypnutí napájení nedojde ke ztrátě uložených 

informací.

Rozdělení pamětí podle fyzikálního 

principu

• Existuje mnoho fyzikálních principů, na jejichž 

základě lze konstruovat paměť.

• V současné době se však hromadně v praxi 

využívají pouze následující principy:

– Polovodičové

– Dnes IO realizované technologií CMOS

– Magnetické

– Pevný disk, magnetická páska, feritová paměť

– Optické

– CD, DVD

Rozdělení pamětí podle použití v 

počítači

• Operační (hlavní) paměť.
• Vnější paměti (pevný disk, CD, DVD, Flash disk)
• Vyrovnávací paměti (cache)

Důležité parametry pamětí

• Kapacita

– 1Kb=210=1024b, 1Mb=220=1048576, 1Gb=230
– Lze udávat v počtu slov např. 256KB.

• Organizace paměti

– Počet adres a délka slova.

• Vybavovací doba

– Udává se v ns (1 ns = 2-9 s).
– Doba od začátku čtecího cyklu do vydání 

platných dat.

– Začátek cyklu může být např. změna adresy.

Princip polovodičových pamětí

Paměti RAM

• Statické (SRAM)

– Paměťová buňka tvořena bistabilním KO.
– Paměťová buňka je rychlá, ale velká (tvořena 6 tranzistory).

• Dynamické (DRAM)

– K zapamatování informace se využívá náboj na 

kondenzátoru o kapacitě řádově desítky fF (femtofarad,  
10-15 F)

– Paměťová buňka je malá (1 tranzistor a 1 kondenzátor), ale 

náboj na kondenzátoru je třeba obnovovat (refresh).

– Na stejné ploše čipu má DRAM větší kapacitu než SRAM => 

nižší cena za 1 bit u paměti SRAM.

Paměťová buňka SRAM

Čtecí a zapisovací cyklus SRAM

DRAM

• Kondenzátor se při zápisu nabije nebo vybije přes 

jednoduchý spínač MOSFET a po určitou dobu udržuje 
náboj.

• Napětí na kondenzátoru lze během čtení porovnat s