BPC-MIC10 - Rozdělení pamětí, paměti RAM

referenčním napětím a rozlišit stav 0 nebo 1.

• Aby nedošlo ke ztrátě informace je třeba náboj 

dostatečně často obnovovat.

• Adresa se do paměti zavádí ve dvou krocích:

• Impulsem RAS\ se zapíše adresa řádku do řádkového registru.
• Impulsem CAS\ se zapíše adresa sloupce do sloupcového 

registru.

Paměťová buňka paměti DRAM

Vnitřní uspořádání DRAM

Synchronní dynamické paměti RAM 

(SDRAM)

• Zavedení synchronizačních (hodinových) impulsů.
• Všechny vstupní signály (adresy, řídicí signály, 

zapisovaná data) jsou náběžnou hranou 

hodinového impulsu zapsány do vnitřních 

registrů. 

• Vnitřní signály se tak mění v přesně definovaných 

okamžicích a naopak na časování vnějších signálů 

jsou kladeny podstatně menší nároky než u 

jednoduché DRAM. 

• Celá činnost SDRAM může být synchronizována s 

dalšími obvody v systému (např. procesorem).

Vnitřní uspořádání SDRAM

Časování při čtení z paměti SDRAM

Čas mezi nabíjením a aktivací 

SDRAM

Zrychlení při dávkovém 

čtení/zápisu SDRAM

• Po vložení adresy řádku jsou postupně vybírány 

sloupce. 

• Sloupcová adresa je generována vnitřním 

čítačem, inkrementovaným hodinovými impulsy.

• Odpadá zadávání sloupcové adresy a data mohou 

být čtena/zapisována v rytmu hodinových 
impulsů.

• Zrychlení čtení/zápisu skupiny dat (dávkové 

čtení/zápis, burst read/write)

DDR SDRAM

• DDR (Double Data Rate), DDR1.
• Během čtení či zápisu dávky dat je čítač 

sloupců inkrementován jak náběžnou, tak i 
sestupnou hranou synchronizačních impulsů.

• Pole paměťových buněk pracuje pořád na 

stejné frekvenci.

• Tím se dosáhne zdvojnásobení rychlosti při 

přenosu dávky dat.

DDR SDRAM

• Pole paměťových buněk pracuje pořád na 

stejné rychlosti.

• Přidán výstupní buffer.
• Do bufferu ukládány 2 bity

– Pro každý sloupec 2 vodiče.
– Pro jednu adresu sloupce jsou aktivovány