Presentace _4_2017

-

čím je hodnota tg𝛿 menší tím je kapacitor lepší, nejlepší vlastnosti mají C

polyesterové, polystyrénové a vf. keramické, nejhorší elektrolytické

S

S

C

tg

R

DF

CR

X

C

X

C

34

- u

dává se kmitočtová závislost ztrátového

činitele

-

ztrátový činitel závisí značně na kmitočtu

- z

načně také závisí na teplotě (T

1, T2 – mezní

provozní teploty)

Izolační odpor (Insulation Resistance) se zjišťuje měřením ss zbytkového proudu
I

LC (Leakage Current) mezi vývody

- u

polarizovaných kapacitorů (elektrolytické,

tantalové) se spíše udává zbytkový proud I

LC

-

protože I

LC

značně závisí na přiloženém

napětí, udává se ve tvaru

< 0,01 CU

C

je v µF, U ve V

- R

i u terylénových, polyesterových a polystyrénových 10

11

Ω

- R

i u keramických 10

10

Ω

- R

i u metalisovaných 10

8

až 109 Ω

LC

I

C

U

RS

LS

Ri

-

+

ILS

=

10

4

10

5 Hz

f

10

1

10

2

10

3

10

1

tg

10

0

10

1

10

2

1

tg

;

f T

2

tg

;

f T

Příklad ztrátového činitele u elektrolytického kondenzátoru

Dielektrická absorbce
- pokud se kapacitor nabije,

část náboje se váže s dielektrikem a nelze ho

odstranit

krátkodobým vybitím

-

dielektrická absorbce se modeluje v náhradním modelu pomocí R

D a CD

uC

U

CD

C

S1

S2

RD

Ri

+

-

t

0

uC (t)

uC

vybití

U

chyba způsobená 

dielektrickou absorbcí

-

připojíme-li po určitou dobu ss napětí (S

1 se po tuto dobu sepne), tak se C i CD

nabije na U; zkratujeme-li pak svorky (S

2 se sepne), C se vybije rychle, ale CD

se

vybíjí pomaleji s časovou konstantou C

DRD; rozpojíme-li zkrat, část náboje

se z C

D přenese zpět na C a na svorkách kapacitoru se objeví část původního

napětí

- d

ielektrické absorbci je nutno věnovat pozornost při konstrukci časovacích

obvodů, analogových integrátorů, ve vzorkovačích s pamětí (S/H, T/H)

- m

ůže způsobit chybu zapamatovaného napětí desítky až stovky mV

- n

ejlepší kapacitory jsou polystyrenové či polypropylénové s činitelem dielektrické