Jak Začít?

Máš v počítači zápisky z přednášek
nebo jiné materiály ze školy?

Nahraj je na studentino.cz a získej
4 Kč za každý materiál
a 50 Kč za registraci!




Unipolární tranzistory

DOC
Stáhnout kompletní materiál zdarma (292 kB)

Níže je uveden pouze náhled materiálu. Kliknutím na tlačítko 'Stáhnout soubor' stáhnete kompletní formátovaný materiál ve formátu DOC.

9. Unipolární tranzistory

  • Rozdíl mezi bipolárními a unipolárními tranzistory spočívá v tom, že u unipolárních

tranzistorů narozdíl od bipolárních se vedení proudu účastní pouze nosič jedné polarity (většinové nosiče).

Tranzistor řízený elektrickým polem s přechodovým hradlem (JFET)

  • Základem je polovodičová destička s nevlastní vodivostí typu N opatřena na obou koncích neusměrňovacími kovovými kontakty, které slouží k přiváděn proudu a mají význam emitoru (E) a kolektoru (C).

  • Do horní i dolní stěny základní destičky je v délce l vytvořena difúzí silně dotovaná vrstva obráceného typu vodivosti (P+) nazvaná hradlo (G). Obě části hradla jdou spolu vodivě spojeny. Hradlo tvoří řídící elektrodu tranzistoru. Prostor mezi částmi hradla se nazývá kanál.

  • Jsou-li hradlo i kolektor spojeny s kolektorem (UCE = UGE = 0) ,tvoří se v okolí hradla vyprázdněná oblast znázorněná na obr. 116 tečkovanými plochami. Tloušťku vyprázdněné oblasti je možné měnit napětím přiloženým k přechodu. Připojíme-li tedy mezi hradlo a emitor napětí UGE tak, aby přechod byl polarizován ve zpětném směru, můžeme obě vyprázdněné oblasti rozšířit. Tím zúžíme vodivou část kanálu a zvětšíme jeho odpor. Odpor kanálu můžeme měnit velikostí napětí přiloženého ve zpětném směru mezi hradlo a emitor. Přitom přívodem hradla neprochází téměř žádný proud (IG = 0, skutečný proud IG je řádově jednotek pikoampérů).

Připojíme-li mezi hradlo a emitor napájecí zdroj s polaritou vyznačenou na obr. 117a, jehož napětí budeme postupně od nuly zvětšovat objeví se kolektorový proud IC. Při nulovém nebo velmi malém napětí UCE je vyprázdněná oblast kolem částí hradla rovnoměrná a proud IC se zvětšuje pří vzrůstu napětí UCE lineárně (obr. 117b). Při dalším zvyšování napětí UCE začíná kladné napětí připojené v místě kolektoru na kanál vodivosti N působit jako předpětí hradlo-kanál ve zpětném směru a s tím rozšiřovat vyprázdněnou oblast. Toto rozšíření je největší v blízkosti kolektoru, neboť napětí mezi kanálem a hradlem se v důsledku napěťového úbytku působeného proudem IC od kolektoru k emitoru zmenšuje. Výsledkem je nerovnoměrné rozložení vyprázdněné oblasti podél hradla (obr. 117a a obr.115).

  • Při dosažení napětí UCE = UP se vyprázdněné oblasti obou částí hradla téměř vzájemně dotknou. K úplnému dotyku (uzavření kanálu) nedojde. Kanál se pouze v určitém místě zúží na velmi tanku vrstvičku, která dovoluje průchod proudu IC. Při dalším zvětšením napětí UCE se úzká část kanálu prodlouží, odpor kanálu se zvětší a proud IC již nevzroste. Dosahuje své nasycené hodnoty (obr. 117b).

  • Nastavíme-li určité napětí UGE (ve zpětném směru), bude se při zvětšování napětí UCE popsaná část tranzistoru opakovat. Vzrůst proudu IC však bude od počátku pomalejší a k nasycení dojde již při menší hodnotě UCE, neboť vlivem působícího napětí UGE vycházíme nyní z užšího kanálu (obr. 116b).

Témata, do kterých materiál patří