EEPROM, flash paměti, SSD disky, magnetická záznamová média, magnetické hlavy, princip zápisu a čtení

Maturitní téma č. 6 (2017/18) 

1/5 

Jan Švábík, V4D 

EEPROM, flash paměti, SSD disky, magnetická 

záznamová média, magnetické hlavy, 

princip zápisu a čtení 

EEPROM 

Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory – elektricky mazatelná programovatelná 
ROM paměť. Jedná se o nonvolatilní paměť s typickou životností ~200 000 zápisů nebo 20 let (obojí 
je vyšší než u flash pamětí). Doba výmazu paměťové buňky nebo bloku buněk se pohybuje v řádu 
milisekund. Hlavní nevýhodou je vyšší složitost paměťové buňky a s tím související nižší hustota 
a vyšší cena. 

Využití  této  paměti  je  jako  úložiště  (např.  nastavení  hlasitosti  u  TV)  obecně  dat,  která  se  mění 
častěji, než je životnost paměti flash. 

Při  výrobě  pamětí  EEPROM  se  používá  speciálních  tranzistorů  vyrobených  technologií  MNOS 
(Metal Nitrid Oxide Semiconductor). Jedná se o tranzistory, na jejichž řídící elektrodě je nanesena 
vrstva nitridu křemíku (Si3N4) a pod ní je umístěna tenká vrstva oxidu křemičitého (SiO2). 

Vlastní buňka paměti EEPROM pak pracuje na principu tunelování (vkládání) elektrického náboje 
na  přechod  těchto  dvou vrstev. Při  zápisu  dat  se přivede  na  příslušný  adresový vodič  záporné 
napětí -U a datový vodič buněk, do nichž se má zaznamenat hodnota 1, se uzemní. Tranzistor se 
otevře a vznikne v něm náboj, který vytvoří velké prahové napětí1. Při čtení se přivede na adresový 
vodič záporný impuls. Tranzistor s malým prahovým napětím se otevře a vede elektrický proud 
do datového vodiče, zatímco tranzistor s velkým prahovým napětím zůstane uzavřen. 

Vymazání  paměti  se  provádí  kladným  napětím  +U,  které  se  přivede  na  adresové  vodiče. 
Tunelovaný náboj se tím zmenší a prahové napětí poklesne, čímž je paměť vymazána.