EEPROM, flash paměti, SSD disky, magnetická záznamová média, magnetické hlavy, princip zápisu a čtení

Flash paměti 

Flash  paměti  fungují  na  principu  EEPROM  (jsou  podmnožinou  EEPROM).  Byla  navržena  (na 
rozdíl od EEPROM) pro vysokou rychlost a pro větší množství zápisů. Dalším rozdílem je, že se 
zapisuje vždy po blocích buněk. Jde o nejrychlejší typ paměti oproti ostatním typům ROM pamětí, 
dá se s ní pracovat jako s RAM (s tím rozdílem a výhodou, že po odpojení se informace nevymaže), 
mazání se provádí elektrickou cestou. Programování a mazání flash pamětí je možné přímo v PC. 
Jsou schopny odolat velkým otřesům bez ztráty dat, jsou malé, a tedy v hodné do různých druhů 
přenosné elektroniky, mají extrémně krátkou vybavovací dobu, avšak jejich životnost je omezena 
na  ~100 000 cyklů  výmaz/zápis.  Využití  nalézají  zejména  ve  flash  discích,  paměťových  kartách 
a SSD discích. 

                                                        
1

 prahové  napětí  –  napětí  UGS  takové  hodnoty,  při  které  se  vytvoří  vodivý  kanál  (U  =  napětí;  G  = 

gate/hradlo; S = emitor) 

Maturitní téma č. 6 (2017/18) 

2/5 

Jan Švábík, V4D 

Princip zápisu a čtení flash pamětí 

Data  jsou  ukládán  v poli  unipolárních  tranzistorů  s plovoucími  hradly  zvaných  buňky.  Každá 
z buněk obvykle uchovává 1 bit informace. Jedno hradlo je ovládací (CG – Control Gate), druhé je 
plovoucí (FG – Float Gate), izolované od okolí vrstvou oxidu. 

Protože je FG izolované, všechny elektrony na něj přivedené jsou zde „uvězněny“. Tím je v paměti 
informace  uložena.  Když  jsou  na  FG  elektrony,  modifikují  (částečně  ruší)  elektrické  pole 
přicházející z CG, což modifikuje prahové napětí (Ut) buňky. Buňka je čtená umístěním určitého 
elektrického napětí na CG – elektrický proud tranzistorem pak buď teče nebo neteče – v závislosti 
na  Ut  buňky,  které je  závislé  na  počtu  elektronů  na  FG. Tato  přítomnost  nebo  nepřítomnost  el. 
proudu je přeložena na 0 nebo 1 představující uložená data.