Elektronika V1 - 1.semestr
Níže je uveden pouze náhled materiálu. Kliknutím na tlačítko 'Stáhnout soubor' stáhnete kompletní formátovaný materiál ve formátu DOC.
jednoduchá heterostruktura GaAlAs-GaAs
kladná zpětná vazba – Fabryho-Perotův rezonátor (jako polopropustná zrcadla použity hladké strany laserové diody)
Laserové diody se dvěma heteropřechody
zabraňují úniku nadbytečných nosičů náboje difúzí mimo vrstvu GaAs ⇒ posílení stimulované emise
při průchodu proudu ve směru propustném
nízké proudové hustoty – spontánní emise
proudová hustota > prahová hodnota (práh laseru) –stimulovaná zářivá rekombinace
spektrální charakteristika laseru
výroba a použití
velká technologická náročnost
GaAlAs, pro λ=800 až 900nm
heterostruktury se čtyřsložkovými polovodiči pro
λ=1,1 až 1,7μm
GaInAsP/InP
GaAlAsSb/GaSb
GaAlAsSb/GaAsSb
vlastnosti
rychlá odezva (<1ns)
vyšší hustota budícího proudu + degradační vlivy zrcadel ⇒ nižší životnost (cca 105h) vyšší poruchovost
dávají záření s velkou časovou a prostorovou koherencí
Optron
vazební optioelektronický člen, optoizolátor
zdroj záření + přijímač optického signálu v jednom konstrukčním celku
použití - oddělovací členy (s přímou vnitřní optickou vazbou), čidla (s přímou vnější optickou vazbou)
Součástky řízené neelektrickými veličinami.
Speciální detektory záření.
reagují na krátké impulsy zářivé energie
Scintilační detektory
princip - dopadající částice vybudí elektrony a při jejich návratu vzniká záření, které je viditelné ve formě krátkých záblesků (scintilací)
vlastnosti (srovnání s GM, viz níže)
větší citlivost na záření gama (kolem 50%)
kratší doba záblesku (lze sledovat hustší sledy)
dosvit scintilace 10-9 až 10-5 s
světlo se zachycuje násobičovými fotonkami (nutná shoda jejich spektrální charakteristiky)
obvyklá hodnota maxima spektrální citlivosti
400 až 450 nm
druhy
krystalový scintilátor gama
citlivým materiálem jodid sodný aktivovaný thaliem
reaguje na některé druhy rentgenového záření a na částice beta
plastické scintilátory
používají pevné roztoky aktivátorů v polymerech
citlivé na částice beta (alfa a gama)
vysoká citlivost, krátký dosvit
Geigher-Müllerovy trubice (GM trubice)
slouží k indikaci radioaktivních částic (beta nebo gama)
konstrukční uspořádání a princip
princip založen na výboji v plynu
ve skleněné zatavené trubici je umístěna
trubka z tenkého plechu
v její ose napjatý drát (wolfram)
válec a drát jsou elektrody (mezi ně napětí ~ 100 až 100V)
v trubici je směs vzácných plynů, napětí mezi elektrodami nestačí k výboji (nevodivé prostředí)
radioaktivní částice jsou ionizačním činidlem
uvolněné nosiče náboje jsou ihned urychlovány
dochází k lavinové ionizaci
mezi katodou a anodou teče proud
při průchodu proudu trubicí
dojde k poklesu napětí mezi elektrodami (zdroj s velkým vnitřním odporem)
dojde k deionizaci (prostřednictvím par uhlovodíků v náplni – etylalkohol)