BPC-MIC11 - Permanentní paměti, připojování pamětí

Permanentní paměti

• ROM (Read-Only Memory)

– Je naprogramována při výrobě, obsah nelze následně 

měnit.

– Pro velké série.

• PROM (Programmable ROM)

– Je jednorázově naprogramována uživatelem, obsah 

nelze následně měnit.

• EPROM (Erasable PROM)

– Programovatelná elektricky v programátoru za 

pomoci zvýšeného napětí.

– Mazatelná ultrafialovým zářením.
– Před programováním musí být vymazána.

Permanentní paměti

• EEPROM (Electrically Erasable PROM) 

– Elektricky programovatelná na libovolné adrese bez 

předchozího vymazání.

– Data lze změnit na libovolné adrese stejně jako u 

RAM, ovšem zápis je mnohem pomalejší jako čtení.

• FLASH

– Elektricky programovatelná na libovolné adrese.
– Elektricky mazatelná pouze jako celek případně po 

velkých částech (blocích, sektorech).

– Před programováním musí být vymazána.

Paměti ROM

• Buňka tvořena tranzistorem MOS zapojeným mezi sloupec a zem.
• Tranzistor je v každé buňce, ale pouze v některých buňkách je 

aktivní.

– U funkčních tranzistorů je mezi hradlem a polovodičem tenká vrstva 

oxidu křemíku.

– U nefunkčních tranzistorů je vrstva oxidu křemíku tlustá.
– Po vybuzení řádkového vodiče dojde u funkčních tranzistorů k 

vytvoření indukovaného kanálu a tím ke zkratování sloupce na zem 

(úroveň L).

– U nefunkčních tranzistorů indukovaný kanál nevznikne (vrstva oxidu je 

příliš tlustá), tranzistor je nevodivý a sloupec zůstává na úrovni H.

• Programování spočívá v proleptání tlusté vrstvy oxidu na 

stanovených místech při výrobě čipu.

Tranzistory s plovoucím hradlem

Způsoby přivedení náboje na 

plovoucí hradlo

• Lavinové injekce elektronů

– FAMOS (Floating Gate Avalanche Injection MOS)
– Umožňuje záporně nabít plovoucí hradlo během 

krátké doby, řádově mikrosekund.

• Tunelování elektronů

– Fawler-Nordheimův mechanismus tunelování 

elektronů.

– Umožňuje nabít (záporně) i vybít plovoucí hradlo.
– Mechanismus je relativně pomalý. Změna stavu buňky