BPC-MIC11 - Permanentní paměti, připojování pamětí

trvá řádově milisekundy.

Paměti EPROM

• Při programování se využívá lavinová injekce

horkých elektronů (buňka FAMOS).

• Mazání UV zářením o vlnové délce 254 nm cca 

15 min.

• Počet cyklů programování - mazání je cca 

desítky.

Paměti EEPROM

• Využívá tunelování elektronů při 

programování i mazání.

• Buňka matice složena ze 2 tranzistorů – jeden 

výběrový, jeden paměťový.

Paměti FLASH

• Programování buňky pomocí lavinové injekce 

elektronů.

• Mazání – vybití plovoucího hradla pomocí 

tunelování elektronů.

• Programování je rychlé (odtud Flash) – jako u 

EPROM, mazání pomalé (řádově s).

• Buňky obsahují jeden tranzistor, jsou jednodušší 

než u EEPROM.

• Jednoduchá konstrukce však neumožňuje 

selektivní mazání na jednotlivých adresách, ale 

pouze po velkých blocích.

NOR x NAND FLASH

NOR FLASH

NAND FLASH

NOR x NAND FLASH

• NOR FLASH

– Tranzistory zapojeny paralelně ke sloupcovému vodiči (obdoba funkce 

NOR).

– Rychlé čtení dat s náhodným přístupem, možnost zápisu po bytech.
– Pomalý zápis a mazání.
– Spolehlivé.
– Lze uložit kód a přímo ho spouštět.
– Vhodné pro ukládání firmware, zavaděčů OS a dat, které se často 

nemění.

• NAND FLASH

– Několik tranzistorů zapojeno do série.
– Rychlý zápis i čtení.
– Pomalý náhodný přístup, složitý zápis po bytech.
– Použití např. pro USB a SSD disky.

FeRAM

• FRAM, F-RAM, Ferroelectric RAM
• Konstrukčně obdobné DRAM paměti, ale 

dielektrikum je tvořeno feroelektrickým 
materiálem (má hysterezi  obdobně jako 
feromagnetické materiály).

• Informace je zachována i po vypnutí napájení!
• Stejná funkčnost jako FLASH.

Porovnání FeRAM s FLASH

• Výhody oproti FLASH

– Podstatně větší počet cyklů mazání-zápis (1016).
– Vyšší rychlost zápisu.
– Nižší spotřeba.

• Nevýhody oproti FLASH

– Mnohem menší hustota ukládané informace.
– Limitovaná maximální kapacita.
– Vyšší cena.

MRAM

• Magnetoresistive RAM
• Magnetorezistivní jev

– Změna odporu materiálu vlivem působení