BPC-MIC11 - Permanentní paměti, připojování pamětí
Níže je uveden pouze náhled materiálu. Kliknutím na tlačítko 'Stáhnout soubor' stáhnete kompletní formátovaný materiál ve formátu PDF.
magnetického pole.
– Odpor se mění podle orientace magnetického pole
při zápisu bitu.
MRAM
• Paměťový element tvořen 2 feromagnetickými
pláty oddělenými tenkou izolační vrstvou.
• Každý plátek může být zmagnetizován.
• Jeden plátek tvoří permanentní magnet s
neměnnou orientací magnetického pole.
• Magnetizace druhého plátku je nastavována
vnějším polem tak, aby orientace jeho pole
odpovídala zapamatování 1 nebo 0.
Vlastnosti MRAM
• Rychlost srovnatelná s SRAM.
• Obdobná hustota uložené informace jako
DRAM.
• Informace je zachována i po vypnutí napájení!
• Podstatně menší spotřeba než DRAM.
• Mnohem rychlejší než FLASH.
Připojování pamětí
• Sériové
– SPI, IIC
• Paralelní
Paralelní připojení paměti k
procesoru
A
0
A
1
A
15
A
0
A
1
A
15
D
0
D
1
D
7
D
1
D
0
D
7
MEMR\
MEMW\
procesor
OE\
WE\
CS\
paměť
Cyklus čtení z pamětí SRAM, ROM,
EPROM, EEPROM, FLASH
adresa
CS
OE
data
data platná
doba cyklu čtení
doba přístupu od adresy
CS
OE
doba přístupu od
doba přístupu od
Cyklus zápisu do SRAM
adresa
CS
WE
data
data platná
doba cyklu zápisu
předstih CS
předstih adresy šířka pulsu WE
předstih
dat
Adresový dekodér
A
15
A
14
A
0
A
13
A
12
A
0
CS
A
13
A
12
A
0
CS
procesor
A
15
A
14
C000÷FFFF
0000÷3FFF
.
.
.
.
.
.
.
.
.
DEC
Y
3
Y
2
Y
1
Y
0
.
.
.
C000÷FFFF
8000÷BFFF
4000÷7FFF
0000÷3FFF
X
1
X
0
MEM4
MEM1
Neúplné dekódování – zrcadlení
A
15
A
14
A
0
A
12
A
11
A
0
CS\
A
12
A
11
A
0
CS\
procesor
A
15
A
14
A
13
E000÷FFFF
0000÷1FFF
.
.
.
.
.
.
.
.
.
1
Zrcadlení
• Při neúplném dekódování adresy (zde nejsou
použity adresové vodiče A14, A13) je vybrána
stejná buňka paměti např. pro adresy:
– 0000 0010 0000 0001
– 0010 0010 0000 0001
– 0100 0010 0000 0001
– 0110 0010 0000 0001
• Dochází k „zrcadlení“ adresního prostoru 0-1FFF
do prostorů 2000-3FFF, 4000-5FFF a 6000-7FFF.
• Obdobně se zrcadlí 8000-9FFF do A000-BFFF,
C000-DFFF a E000-FFFF.