Mikroprocesory - Skripta

Dnešní  permanentní  a  semipermanentní  paměti  jsou  realizovány  pomocí  tranzistorů 

MOS. Provedení paměťových buněk závisí na konkrétním typu paměti. 

Paměti ROM.  
 

Obr. 4-2:  Princi paměti ROM realizované diodami

U dnešních  pamětí  ROM  jsou  diody  nahrazeny  tranzistorem  MOS,  zapojeným  mezi 

sloupec a zem. V každé buňce existuje tranzistor, ale jen některé tranzistory jsou funkční (vedou 
proud). U tranzistorů, které mají vést proud, je mezi řídící elektrodou (hradlem) a polovodičem 
pouze tenká vrstva oxidu křemíku, zatímco u tranzistorů, které mají být nevodivé, je vrstva 
tlustá. Po vybuzení řádkového vodiče dojde u funkčních tranzistorů k vytvoření indukovaného 
kanálu a tím ke zkratování sloupce na zem – na výstupu sloupce bude úroveň L. U tranzistorů 
s tlustou vrstvou oxidu nedojde k vytvoření vodivého kanálu a na výstupu sloupce bude úroveň 
H. Naprogramování spočívá v proleptání tlustých vrstev oxidu na stanovených místech. Místa, 
kde má dojít k proleptání, určuje maska pro litografii. 

Paměti  PROM.  Paměti  PROM  si  programuje  zákazník  sám.  Paměť  PROM  lze 

programovat pouze jednou, nelze ji smazat. 

V dnešní  CMOS  technologii  je  paměťový  prvek  tvořen  tranzistorem  s plovoucím 

hradlem. U tohoto tranzistoru je mezi řídícím hradlem a polovodičem vytvořena další vodivá 
vrstva – plovoucí hradlo (floating gate). Plovoucí hradlo je totálně odizolována oxidem křemíku 
od řídící elektrody i od polovodiče. Při programování lze na plovoucí hradlo přenést elektrony 
a  nabít  jej  záporně.  I  když  přivedeme-li  na  řídící  elektrodu  tranzistoru  se záporně  nabitým 
plovoucím  hradlem  kladné  napětí,  elektrické  pole  záporného  náboje  na  plovoucím  hradle 
převýší  vliv  pole  vytvořeného  řídící  elektrodou,    tranzistor  zůstane  v nevodivém  stavu  a  na 
výstupu je čtena úroveň H.