Mikroprocesory - Skripta

Paměti EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory).  Paměťové buňky jsou 

opět tvořeny tranzistory s plovoucím hradlem.  

Obr. 4-3:  Paměťový prvek EPROM, EEPROM 

=

Q

1

0

.

.

Mikroprocesory 

37 

Obr. 4-4:  Tranzistor MOSFET s plovoucím hradlem (Floating gate MOSFET)

Paměti EPROM jsou mazatelné ultrafialovým  zářením o vlnové délce 254 nm. Záření 

dodá  elektronům  na  plovoucím  hradle  dostatečnou  energii  k opětovnému  překonání  bariéry 
oxidu  křemíku  směrem  do  polovodiče.  Doba  mazání  je  cca  15  minut.  Pouzdro  paměti  je 
opatřeno  víčkem  z křemenného  skla,  aby  byl  umožněn  průchod  ultrafialových  paprsků  Po 
naprogramování je třeba sklo přelepit černou lepící páskou, aby nedošlo k vymazání paměti. 

Počet cyklů mazání a programování je omezen na řádově desítky. 
Tranzistory MOSFET s plovoucím hradlem jsou schopny si udržet elektrický náboj po 

dlouhou dobu (cca 10 – 20 let). 

Paměti EEPROM. Buňky jsou programovány i mazány elektrickými signály. Buňka je 

tvořena dvěma tranzistory. Jeden tranzistor je výběrový, druhý paměťový. Paměťový tranzistor 
je stejně jako u EPROM tvořen tranzistorem s plovoucím hradlem. Složitější konstrukce buňky 
však umožňuje záporně nabít nebo vybít plovoucí hradlo paměťového tranzistoru na libovolné 
adrese. 

Doba zápisu je minimálně 10 krát delší než doba čtení. Počet zápisů pamětí EEPROM je 

omezen na desítky až stovky tisíc. 

Paměť  FLASH.  Buňka  je  tvořena  tranzistorem,  který  pro  záporné  nabití  hradla  (při 

programování) využívá principu lavinové injekce elektronů a pro vybití (při mazání) využívá 
principu  tunelování  elektronů.  Buňky  jsou  tvořeny  pouze  jedním  tranzistorem,  a  jsou 
jednodušší než u EEPROM. Tato jednoduchá konstrukce neumožňuje mazat jednotlivé buňky 
samostatně, ale musí být mazán celý blok buněk (sektor) najednou. Programovat lze jednotlivé 
buňky samostatně, programování je rychlé (odtud název flash), srovnatelné s programováním 
paměti EPROM. Mazání je pomalé. Smazání celé paměti může trvat řádově sekundy. Proto je 
paměť dělena na menší části – sektory (obsahují skupinu buněk), které lze mazat samostatně. 
Potřebujeme-li v paměti provést změnu, musíme nejprve patřičný sektor celý vymazat a pak 
celý znova naprogramovat novým obsahem.