Mikroprocesory - Skripta
Níže je uveden pouze náhled materiálu. Kliknutím na tlačítko 'Stáhnout soubor' stáhnete kompletní formátovaný materiál ve formátu PDF.
paměti lze programovat a mazat pomocí elektrických signálů. Avšak na rozdíl od
pamětí RAM trvá zápis o několik řádů delší dobu než čtení. Čtení či zápis
paměťového místa v RAM trvá cca nanosekundy stejně jako čtení paměťového
místa EEPROM, zápis do paměťového místa (jedná se o programování) trvá cca
milisekundy.
FLASH – je to speciální druh pamětí EEPROM, který umožňuje mazat (flashed
back to zero) či zapisovat na více paměťových míst pomocí jedné programovací
operace. Mazána může být např. celá paměť nebo zvolená oblast (banka) paměti
najednou. FLASH paměti mívají také mechanismus ochrany proti zápisu (write
protection), který umožní dočasně udělat z paměti FLASH paměť read-only. Tím se
systém ochrání proti nechtěnému náhodnému smazání či přepsání paměti.
Zápis/mazání se pak povolí zapsáním definované sekvence bytů do řídicích registrů
paměti.
Rozdělení podle energetické závislosti (schopnosti uchování informace po vypnutí
napájení):
Energeticky závislé (Volatile) – Informace je po odpojí napájení ztracena.
Energeticky nezávislé (Non-volatile) – Paměť uchovává uložené informace i po
odpojení napájecího napětí. Paměti ROM, PROM, EPROM, EEPROM, FLASH jsou
34
FEKT Vysokého učení technického v Brně
z principu energeticky nezávislé. Energeticky nezávislou však může být i paměť CMOS
RAM opatřená zálohovací lithiovou baterií.
Důležité parametry pamětí