Bipolární tranzistory
Níže je uveden pouze náhled materiálu. Kliknutím na tlačítko 'Stáhnout soubor' stáhnete kompletní formátovaný materiál ve formátu DOC.
Pro zapojení SK se statistické charakteristiky neuvádějí, neboť všechny údaje, které bychom jejich pomocí mohli určit, je možně stanovit též z charakteristik platných pro zapojení SE.
Tab. 1. Srovnání vlastností jednotlivých zapojení tranzistoru SB SC SE Ai <1 >1 >1 Au >1 <1 >1 Ap >1 >1 >>1 Rvst malý velký mezi SB a SC Rvýst velký malý mezi SB a SCZbytkový proud tranzistoru a jeho kompenzace
Zbytkovým proudem tranzistoru nazýváme proud procházející obvodem kolektoru v případě, že do vstupní elektrody (báze nebo emitoru) nepřivádíme proud. Zbytkový proud je podobně jako zpětný proud polovodičových diod tvořený minoritními nosiči náboje uvolněnými ze základního polovodičového materiálu (vlastní vodivost) a s příměsí způsobujících obrácený typ nevlastní vodivosti, než má příslušná elektroda (důsledek některých výrobních postupů nebo nedokonalého vyčištění základního materiálu).
V zapojení se společnou bází se zbytkový proud označuje ICB0. Prochází diodou kolektor-báze (obr. 94a). Jeho velikost je závislá na materiálu tranzistoru, na rozměrech přechodu báze-kolektor a na teplotě. Typické hodnoty jsou uvedeny v tabulce 2.
Tab. 2. Velikost zbytkových proudů tranzistoru při teplotě 25oC Pcdov (W) 0,1 až 1 1 až 10 10 až 100 ICB0 Ge(μA) 3 až 30 30 až 100 100 až 5000 ICB0 Si(μA) 0,01 až 0,5 0,5 až 50 50 až 1000V zapojení se společným emitorem označujeme zbytkový proud při odpojené bázi ICE0 (obr.105a). Zpětný proud kolektor-báze prochází v tomto případě přes bázi až do emitoru a je vstupním proudem tranzistoru. Tranzistor tento proud zesílí h21e krát, takže obvodem kolektoru prochází proud ICB0 plus h21e krát ICB0. Proto platí vztah
ICE=ICB0(1+h21e)
Připojíme-li mezi bázi a emitor rezistor s odporem RBE (obr. 105b), který tvoří bočník k diodě báze-emitor, odvede se část proudu diody báze-kolektor mimo přechod báze-emitor.Tím se zmenší také zesilovaná část tohoto proudu a zbytkový proud tranzistoru se zmenší. Označuje se ICER. Závislost tohoto proudu na odporu rezistoru RBE můžeme sledovat z charakteristik na obr.106. Všimněme si,že při RBE=0 je ICER=ICB0.
Vliv teploty na vlastnosti tranzistoru
Při zvyšování teploty se zvyšuje vlastní vodivost polovodiče. Nevlastní vodivost se nemění. Rostoucí vlastní vodivost polovodičového materiálu při vzrůstu teploty se v tranzistoru projevuje především těmito příznaky :
1. Růstem zbytkového proudu obr.107, z toho plynoucím zvětšováním proudu kolektoru, zkreslováním průběhu výstupních charakteristik (obr. 109) a zmenšováním dovolených napětí mezi elektrodami. Stejně jako pro zpětný proud diod plat i pro zbytkový proud tranzistoru, že při vzrůstu teploty o 1°C vzroste proud ICB0 asi o 7%, tj. při zvětšování teploty o 10 °C vzroste proud ICB0 na dvojnásobek.