Bipolární tranzistory
Níže je uveden pouze náhled materiálu. Kliknutím na tlačítko 'Stáhnout soubor' stáhnete kompletní formátovaný materiál ve formátu DOC.
Všechny části tranzistoru jsou chráněny kysličníkem. a proto má planárně epitaxní tranzistor dlouhodobě velmi stálé vlastnosti. Protože místa, ve kterých vycházejí na povrch krystalu okraje vrstev tvořících přechody PN, jsou také přikryta kysličníkem, který má velmi dobré izolační vlastnosti, zmenší se povrchové svodové proudy mezi elektrodami tranzistoru na velmi malou hodnotu. To je příčinou podstatného zmenšení sumu planárně epitaxních tranzistorů ve srovnání s dříve popsanými typy.
Jak jsme se již zmínili, závisí schopnost tranzistoru zesilovat signály vysoké frekvence značně na době, za kterou projdou nosiče náboje oblastí báze. Tuto dobu je možné do určité míry zkrátit urychlováním nosičů náboje elektrickým polem působícím v bázi (tranzistor s difundovanou bází a další typy). Zároveň je nutné volit materiály s velkou pohyblivostí nosičů náboje. Arzenid galia, který má ze všech materiálu, jejichž výroba je v sou-časné době dostatečně propracována, největší pohyblivost nosičů náboje, se použít nedá. Nosiče náboje v GaAs mají totiž velmi krátkou dobu života (řádu 10-10 s), a proto by došlo v oblasti báze ke značné rekombinaci nosičů. Takový tranzistor by měl veliký zbytkový proud a malé proudové zesílení. Proto se nejčastěji používá křemík. Volí se tranzistory typu NPN, aby nosiče náboje, které musí bází projít, byly elektrony, neboť pohyblivost elektronů je vždy větší než pohyblivost děr.