Elektronika V1 - 1.semestr
Níže je uveden pouze náhled materiálu. Kliknutím na tlačítko 'Stáhnout soubor' stáhnete kompletní formátovaný materiál ve formátu DOC.
vypínací tyristor (GTO tyristor – Gate turn-off thyristor) – blokovací stav lze obnovit zavedením proudového impulsu opačné polarity
vysokofrekvenční tyristor – speciální geometrické uspořádání, vylepšení dynamických parametrů
Diak
spínací vícevrstvá dioda
třívrstvá součástka
symetrická (má symetrickou voltampérovou charakteristiku)
při překročení UB0 (20-40V) dojde
k lavinovému průrazu
k poklesu napětí na diaku (o 6-12V)
zmenšení odporu na 5-15kΩ
použití – pomocná spínací součástka pro řídící obvody tyristorů a triaků
konstruují se pro
výkonové zatížení 100-200mW
impulsové proudy 1-2A
Triak
obousměrný triodový tyristor
má pětivrstvou strukturu
NPNPN
PNPNP
má dvě hlavní elektrody (A1 , A2) a elektrodu řídící (G)
souměrná voltampérová charakteristika
spíná střídavý proud procházející mezi A1 a A2, řídí se proudem libovolné polarity mezi A1 a G
velikost UB0 závisí na velikosti řídícího proudu
vypnutí triaku – zmenšením proudu pod pod hodnotu IH (vratného proudu)
použití – pro regulaci proudu procházejícího obvodem zátěže při kladné i záporné půlvlně střídavého napětí
2.1.5 Součástky s objemovými jevy
Objemový jev – změna objemové vodivosti monokrystalického polovodiče.
Gunnova dioda
neobsahuje přechod PN
homogenní monokrystal polovodiče je opatřen neusměrňujícími kontakty
voltampérová charakteristika
J – proudová hustota
E – intenzita elektrického pole
oblast záporného diferenciálního odporu
použití – v generátorech a zesilovačích v mikrovlnném pásmu do 100GHz, výstupní výkony řádově 100mW
Lavinová průletová dioda
Charakteristické vlastnosti:
mikrovlnná dioda
její VA charakteristika se neliší od běžné diody
vyrábí se z Si, Ge nebo GaAs
může generovat vf energii v úzkém kmitočtovém pásmu, aniž by VA charakteristika vykazovala oblast záporného diferenciálního odporu
toho je dosaženo kombinací lavinového průrazu a průletového zpoždění
Dioda IMPATT (Impact Ionization Avalanche Transit Time – nárazová lavinová ionizace a průletová doba)
nazývá se též Readova dioda (podle svého tvůrce)
má strukturu PNIN
Dioda BARITT (BARrier Injection and Transit Time)
využívá jako zdroj nosičů potenciální bariéru přechodu PN v přímém směru nebo přechodu Schottkyho
JFET (Junction Field Effect Transistor)
unipolární tranzistor s přechodovým hradlem (s plošným přechodem PN)
proud je zprostředkován nosiči jednoho znaménka (pouze elektrony nebo pouze děrami) ⇒ unipolární
představuje souvislou strukturu tvořenou polovodivými materiály s různou vodivostí
1 – kanál, vodivost N (majoritními nosiči jsou elektrony)
2 – přímokontaktní vrstvy s vodivostí N+
3 – silně dotované vrstvy P+
4 – ochuzená vrstva přechodu P+N
elektrody jsou označeny S (source nebo E-emitor)
D (Drain nebo C-kolektor)