Paměti (polovodičové) – rozdělení, použití, časové diagramy, blokové schéma a jejich návaznost

Maturitní téma č. 2 (2017/18) 

1/4 

Jan Švábík, V4D 

Paměti (polovodičové) – rozdělení, použití, 

časové diagramy, blokové schéma 

a jejich návaznost 

Paměti obecně 

Paměť je médium (prostředí) umožňující uchovávat informaci. Paměť počítače je pak umožňující 
ukládání programů a dat, s nimiž počítač pracuje. Dělí se na registry a na vnitřní a vnější paměti.  

Polovodičové paměti 

Skládají  se  z tzv.  paměťových  buněk.  Ty  jsou  realizovány  pomocí  integrované  součástky  nebo 
obvodu  umožňujícího  trvale  nebo  dočasně  vyvolat  dva  stavy  (0/1).  Každá  základní  paměťová 
buňka  má  kapacitu  1  bit.  Podle  toho,  čím  je  buňka  tvořena,  se  mění  vlastnosti  takové  paměti. 
Paměťové buňky jsou uspořádány maticově (tvoří mřížku). 

Polovodičové paměti jako takové jsou pak realizovány dvěma způsoby, pak mluvíme o pamětech 
bipolárních nebo unipolárních. 

Bipolární paměti 

Paměťové buňky jsou tvořeny bipolárními tranzistory (TTL nebo ECL) 

Unipolární paměti 

Paměťové  buňky  jsou  tvořeny  unipolárními  tranzistory  MOS  (P-MOS,  N-MOS,  CMOS)  –  tvoří 
obvody LSI a VLSI, tj. (very-)large-scale integration – generace technologie výroby polovodičových 
integrovaných obvodů s vyšší (nebo velmi vysokou) mírou integrace. 

Rozdělení polovodičových pamětí z hlediska čtení/zápisu 

RWM (read-write memory) 

Umožňují  libovolné  čtení  i  zápis  dat.  Jedná  se  o  paměti  energeticky  závislé.  Paměti  s přímým 
přístupem (maticové uspořádání buněk) se označují jako paměti RAM (random access memory). 

ROM (read-only memory) 

Jsou určeny především pro čtení zapsané informace. Jedná se o paměti energeticky nezávislé.