Paměti (polovodičové) – rozdělení, použití, časové diagramy, blokové schéma a jejich návaznost

Destruktivní paměť při čtení – při čtení je na adresový 
vodič přivedena hodnota log. 1, která způsobí otevření 
tranzistoru.  Pokud  byl  kondenzátor  nabitý,  zapsaná 
hodnota  přejde  na  datový  vodič.  Tímto  čtením  však 
zároveň  dojde  k vybití  kondenzátoru,  a  tedy  ke  ztrátě 
uložené informace. Přečtenou hodnotu je nutné opět do 
paměti zapsat. 

Z důvodu  periodické  obnovy  informace  a  obnovy  informace  po 
jejím  přečtení  jsou  paměti  DRAM  pomalejší  při  čtení/zápisu  než 
paměti  SRAM.  Výhodou  je  menší  velikost  paměťové  buňky  na 
polovodičovém  čipu  –  dosahují  tedy  vyšších  kapacit  než  paměti 
SRAM.  

Typy: SDRAM, DDR(-, 2, 3, 4), RDRAM.  

Maturitní téma č. 2 (2017/18) 

3/4 

Jan Švábík, V4D 

Polovodičové paměti ROM (read-only memory) 

Jde o paměti energeticky nezávislé, většinou určené pouze pro čtení zapsaného obsahu (programy 
a data), s přímým přístupem.  Slouží především k uložení firmware  v elektronických zařízeních, 
popřípadě BIOSu základní desky, rozdělujeme je do dvou hlavních skupin. 

Permanentní paměti ROM a PROM 

ROM 

Po  naprogramování  nelze  změnit  obsah  paměti. 
Paměťová  buňka  může  být  realizována  jako 
dvojice nespojených vodičů a vodičů propojených 
polovodičovou diodou (logická 0 a 1). 

PROM 

Paměť,  kterou  si  může  uživatel  naprogramovat  sám  –  program  se 
ukládá  pomocí  speciálního  zařízení  (programátoru).  Při  výrobě  je 
vytvořena  matice  obsahující  spojené  adresové  vodiče  s datovými 
přes polovodičovou diodu a tavnou pojistku. Během programování 
se  na  příslušnou  paměťovou  buňku  přivede  takový  proudový 
impuls,  která  způsobí  přetavení  pojistky,  a  tedy  logickou  nulu. 
Takový zápis je možné provést jen jednou.