Paměti (polovodičové) – rozdělení, použití, časové diagramy, blokové schéma a jejich návaznost

Rozdělení pamětí polovodičových pamětí RAM 

SRAM (static random-access memory) 

Paměťová  buňka  je  tvořena  bistabilním  klopným  obvodem  (BKO).  Stav  klopného  obvodu 
reprezentuje logickou hodnotu 0 nebo 1. Vyznačuje se nízkou přístupovou dobou (15–20 ns), mají 
však vyšší složitost a tedy vyšší výrobní náklady. 

Maturitní téma č. 2 (2017/18) 

2/4 

Jan Švábík, V4D 

Po  výběru  příslušné  paměťové  buňky  (dekódováním  adresy)  se  řádkovým  vodičem  sepnou 
spínače, čímž dojde k připojení paměťové buňky na datové (sloupcové) vodiče. V takovou chvíli je 
možné z buňky číst nebo do ní zapisovat (změnit stav BKO). Při čtení se zkoumá, jak skutečná, tak 
inverzní hodnota (slouží ke kontrole správnosti čtení). Jedna paměťová buňka obsahuje minimálně 
čtyři tranzistory (2 tvoří samotný BKO, zbývající řídí proces R/W). SRAM buňka je velice rychlá 
a vyžaduje nižší proud než paměť dynamická (DRAM), avšak fyzicky zabírá na polovodičovém 
čipu paměti poměrně velký prostor. V realitě tedy jde o paměti malé kapacity. 

Využití: registry, vyrovnávací paměť, cache. 

DRAM (dynamic random-access memory) (dynamická RAM)  

Paměťová  buňka  je  tvořena  kondenzátorem  (využívána  kapacita  PN  přechodu)  a  tranzistorem 
typu  MOSFET,  kterým  se  řídí  nabíjení  a  vybíjení  paměťového  kondenzátoru.  Logické  hodnoty 
0 a 1 odpovídají vybitému nebo nabitému kondenzátoru. 

DRAM  refresh  –  protože  dochází  k samovolnému 
vybíjení (ztrátě informace), musí se provádět periodická 
obnova dat, tzv. refresh. Ten se provádí vždy po celých 
řádcích. V okamžiku, kdy refresh probíhá, není možné 
provádět R/W operace.