Paměti (polovodičové) – rozdělení, použití, časové diagramy, blokové schéma a jejich návaznost

Využití zejména: flash disky, paměťové karty, SSD. 

Technologie paměťových čipů Flash ROM 

SLC (Single-Level Cell) 

Jedna paměťová buňka dokáže uchovat 1 bit (0/1) – vysoká přenosová rychlost R/W, nižší spotřeba 
energie,  vyšší  trvanlivost  buněk,  nevýhodou  jsou  výrobní  náklady  na  jeden  MB,  proto  se  SLC 
technologie používá pouze ve vysoce výkonných pamětech, kde je důležitá rychlost a spolehlivost. 

MLC (Multi-Level Cell) 

Jedna  paměťová  buňka  dokáže  uchovat  2  bity  (00/01/10/11)  –  nižší  přenosové  rychlosti  a  nižší 
trvanlivost buněk než SLC, výhodou jsou nižší výrobní náklady. Technologie MLC se používá ve 
většině standardních paměťových zařízení (např. SSD). 

TLC (Triple-Level Cell) 

Jedna paměťová buňka dokáže uchovat 3 bity – nižší přenosová rychlost, vyšší chybovost, nižší 
trvanlivost buněk než u SLC nebo MLC, paměťový čip je však pro určitou kapacitu paměti fyzicky 
menší než čipy SLC/MLC, spotřebuje méně energie a je levnější na výrobu. Používá se většinou 
v levných zařízeních, kde rychlost a spolehlivost není tak důležitá. 

Časový diagram DRAM 

CS (Chip 
Select) 

- zajišťuje výběr čipu (obvod, který bude 
reagovat) 
- negovaný kvůli bezpečnosti (po odpojení 
musí zůstat původní stejná hodnota) 

AB 

- adresová sběrnice 
- signál pro řádek, pro sloupec 

RAS a CAS 

- strobovací signály 
- RAS – potvrzuje platnost adresy řádku 
- CAS – potvrzuje platnost adresy sloupce 

RW 

- signál pro čtení a zápis 

DB 

- říká, že data na datové sběrnici jsou platná 

5-2-2-2 

- časování paměti 
- pro zpřístupnění dat je potřeba více taktů 
(kvůli refreshi) 
- jakmile jsou data zpřístupněna, tak pro další 
data jsou takty kratší (ale pak je zase refresh)