Paměti (polovodičové) – rozdělení, použití, časové diagramy, blokové schéma a jejich návaznost

Mazatelné paměti EPROM, EEPROM a Flash ROM 

EPROM (Erasable PROM) 

Zapsaná  data  je  možné  vymazat  působením  UV  záření 
(doba  působení  ~30  minut).  Paměti  jsou  realizovány 
speciálními unipolárními tranzistory schopnými udržet el. 
náboj až několik let. 

Paměti  EPROM  jsou  charakteristické  malým  okénkem 
v pouzdře integrovaného obvodu. Pokud neprobíhá proces 
mazání paměti, bývá toto okénko přelepeno ochranným štítkem (UV záření ← sluneční záření). 

EEPROM (Electrically Erasable PROM) 

Konstrukcí podobné EPROM pamětem, oproti nim se však EEPROM maže elektrickými impulsy, 
doba mazání se pohybuje v řádu milisekund. Pro velké paměti se nevyužívá z důvodu vysoké ceny 
(k tomuto je flash paměť) a čte se z ní pomaleji než z flash.  

Flash ROM 

Rychlejší paměť než předešlé typy, dá se s ní pracovat jako s RAM (ale po odpojení se informace 
nevymaže). Mazání se provádí elektrickou cestou, jejich programování a mazání je možné přímo 
v PC. Jsou schopny odolat velkým otřesům bez ztráty dat, jsou malé, a tedy vhodné do různých 
druhů  přenosné  elektroniky,  mají  extrémně  krátkou  vybavovací  dobu,  avšak  jejich  životnost  je 
omezena na ~100 000 cyklů výmaz/zápis. 

Maturitní téma č. 2 (2017/18) 

4/4 

Jan Švábík, V4D 

Oproti EEPROM (mazatelná jen jako celek) je flash ROM mazatelná po blocích. EEPROM navíc 
zapisuje po bytech, zatímco flash po blocích (může mít i okolo 100 MB) – při zápisu se vybere blok, 
jeho aktuální  obsah ze uloží do  cache flash paměti  (samotný blok  se vymaže), v cachi  se změní 
obsah dat a ta jsou poté do bloku zpět nahrána.