3_05_Vedeni_v_polovodicich

elektronických  obvodech  může  být  tranzistor 
zapojen 

třemi 

základními 

způsoby. 

Podle 

elektrody,  která  je  společná  pro  vstupní  i  výstupní 
signál,  se  rozlišuje  zapojení  se  společným 
emitorem, 

společnou 

bází 

a 

společným 

kolektorem.  Na  Obr.  3.5.-11  vidíte  zapojení  se 
společnou  bází.  Přechod  mezi  bází  a  emitorem  je 
připojen  v  propustném  směru,  zatímco  druhý 
přechod  mezi  kolektorem  a  bází  ve  směru 
zavěrném. Báze je velmi tenká, i méně než 10

-3 cm. 

Když  krátkým  spojením,  které  je  na  obrázku 
naznačeno  čárkovanou  čarou,  vyřadíme  zdroj 
elektromotorického  napětí  UE,  obvodem  kolektoru 
nepoteče  téměř  žádný  proud.  Jestliže  rozpojíme 
krátké  spojení  mezi  bází  a  emitorem,  začne 
emitorovým obvodem procházet proud. Poněvadž  

Obr. 3.5.-11 
 
je  báze  velmi  tenká,  difundují  díry  ve  velké  míře  až  do  kolektoru  (z  anglického  collect  – 
sbírat). K čistému bázovému proudu IB přispívá jen malý zlomek počtu děr. Jistě platí : IE = IC 
+ IB. Jestliže zakreslíme závislost kolektorového proudu na kolektorovém napětí pro vybrané 
hodnoty  emitorového  proudu,  dostaneme  kolektorové  charakteristiky  tranzistoru  (Obr. 
3.5.-12).  Kolektorový  proud  je  při  dané  hodnotě  kolektorového  napětí  funkcí  proudu 
emitorového. Tranzistor umožňuje malým emitorovým výkonem regulovat značné výkony  v 
kolektorovém obvodu. Využívá se tedy jako zesilovací prvek.  
 
Existuje  několik  konstrukčních  řešení  tranzistorů.  Například  tranzistory  řízené  polem  se 
strukturou  kov-oxid-polovodič  (MOSFET)  nacházejí  uplatnění  mimo  jiné  v  digitálních