2. Elektrické obvody

– Proudem tekoucím mezi bází (B) a 

emitorem (E) je řízen proud tekoucí mezi 
kolektorem (C) a emitorem (E) (h

21) 

– Označení NPN resp. PNP vychází z 

vnitřní polovodičové struktury 

– Spínací aplikace NPN tranzistoru 

• C a E jsou „svorky spínače“ 

– C kladná, E záporná 

• Proudem svorky B (teče z B do E) řídíme 

stav spínače 

– Spínací aplikace PNP tranzistoru 

• C a E jsou „svorky spínače“ 

– C záporná, E kladná 

• Proudem svorky B (teče z E do B) řídíme 

stav spínače 

Polovodičové prvky (součástky)  

I

B3 > IB2 > IB1 

Proudový zesilovací činitel 

n Zapojení bipolárního tranzistoru jako spínače řízeného procesorem 

n

Kde jsou problémy? 

– Výstupní napětí procesorové brány  

nestačí na sepnutí 

– Výstupní napětí procesorové brány  

nestačí na rozepnutí 

n

Mezi C a E v sepnutém stavu je saturační napětí 

– typicky několik desetin voltu 

Polovodičové prvky (součástky)  

n Unipolární tranzistor (spínací režim) 

– Napětím mezi řídicí elektrodou (G) a elektrodou source (S) je řízen 

proud tekoucí mezi elektrodami drain (D) a source (S) 
 

– Označení N resp. P vychází z vnitřní polovodičové struktury 
– Spínací aplikace FET tranzistoru 

• D a S jsou „svorky spínače“ (u typu N je D kladná a S záporná) 
• Napětím na svorce G vůči svorce S řídíme stav spínače 

Polovodičové prvky (součástky)  

n Zapojení unipolárního tranzistoru jako spínače řízeného 

procesorem 

n

Kde jsou problémy? 

– Obdobné jako u bipolárních spínačů 

n

V sepnutém stavu se FET chová jako odpor (v pracovní oblasti) 

– Odpor od desítek ohmů až po jednotky mΩ 
– FET tranzistory lze jednoduše řadit paralelně a zvyšovat tak proudovou 

zatížitelnost 

• díky teplotní závislosti odporu v sepnutém stavu